?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運(yùn)行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度<±5℃ (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)
4.1.8 升溫時間: 常溫~125℃ ≤20min;
4.1.9 水冷式恒溫、降溫, 恒溫大功率 BI 產(chǎn)品, 降溫迅速, 20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。
(需要接入廠務(wù)水) 。
4.1.10 水流量每小時: 1.3t/h
...?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運(yùn)行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度<±5℃ (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)
4.1.8 升溫時間: 常溫~125℃ ≤20min;
4.1.9 水冷式恒溫、降溫, 恒溫大功率 BI 產(chǎn)品, 降溫迅速, 20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。
(需要接入廠務(wù)水) 。
4.1.10 水流量每小時: 1.3t/h
...?腔內(nèi)循環(huán)確保老化板上運(yùn)行中的顆粒表面積溫度與腔體溫度<±5℃ (芯片溫度以芯片本身傳感器采集溫度 為參考)
4.1.8 升溫時間: 常溫~125℃ ≤20min;
4.1.9 水冷式恒溫、降溫, 恒溫大功率 BI 產(chǎn)品, 降溫迅速, 20 分鐘內(nèi) 125 度降至 60 度。
(需要接入廠務(wù)水) 。
4.1.10 水流量每小時: 1.3t/h
...?性能指標(biāo)符合以下標(biāo)準(zhǔn):
GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗 第 2 部分: 試驗方法 試驗 N: 溫度變化;
GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分: 試驗方法 試驗 B: 高溫。
4.1.14 設(shè)備需支持 SECS/GEM 協(xié)議
4.1.15 MTBA (平均故障間隔周期)
...?性能指標(biāo)符合以下標(biāo)準(zhǔn):
GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗 第 2 部分: 試驗方法 試驗 N: 溫度變化;
GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分: 試驗方法 試驗 B: 高溫。
4.1.14 設(shè)備需支持 SECS/GEM 協(xié)議
4.1.15 MTBA (平均故障間隔周期)
...?性能指標(biāo)符合以下標(biāo)準(zhǔn):
GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗 第 2 部分: 試驗方法 試驗 N: 溫度變化;
GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分: 試驗方法 試驗 B: 高溫。
4.1.14 設(shè)備需支持 SECS/GEM 協(xié)議
4.1.15 MTBA (平均故障間隔周期)
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