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高低溫PCIE老化柜

?性能指標符合以下標準：

GB/T 2423.22-2012  環(huán)境試驗 第 2 部分：  試驗方法 試驗 N：  溫度變化；

GB/T 2423.2-2008  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第 2 部分：  試驗方法 試驗 B：  高溫。

4.1.14  設備需支持 SECS/GEM 協(xié)議

4.1.15 MTBA  (平均故障間隔周期)

 

高低溫PCIE老化柜

  • 詳情說明

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